News TSMCs Zeitplan fuer 28 nm Produkte

User-News

Von Bobo_Oberon

Hinweis: Diese "User-News" wurde nicht von der Planet 3DNow! Redaktion veröffentlicht, sondern vom oben genannten Leser, der persönlich für den hier veröffentlichten Inhalt haftet.
Der weltgrößte Auftragsfertiger gibt heute bekannt, dass die wesentlichen Probleme für Halbleiterfertigung am 28 nm-Node gemeistert sind. Der Foundry-Marktführer hat drei Segmente und die Zeitpläne für die erste Risikofertigung bekanntgegeben:

- Am Ende des ersten Quartals 2010 startet die Risikofertigung für sparsame Low-Power Halbleiter im 28nm LP-Prozess. Damit wird vor allem die Nachfrage nach hochwertigen System on Chips für Handhelds, Consumer Electronic-Produkte und Drahtlosfunk befriedigt.
- Die 28nm HP-Fertigung bei TSMC soll am Ende des zweiten Quartals 2010 für High-Performance Produkte wie Prozessoren, Grafikchips, Chipsätze und FPGAs zur Verfügung stehen.
- Im dritten Quartel 2010 plant der Auftragsfertiger den Start der 28nm HPL Fertigung. Das ist ein optimierter Fertigungsprozess für Hochleistungschips mit sehr geringem Strombedarf. Damit werden vor allem Mobilfunkchips und Halbleiter in der Nettop-Klasse gefertigt werden.

Der erste Low-Power Prozess nutzt SiliziumOxiNitrid (SiON) als Isolator ein. Die Hochleistungschips in der zweiten Phase nutzen neuartige High-k-Dielektrika und werden zudem Metall- statt Polysilizium-Gates verwenden (HKMG). Die Risikofertigung Ende des dritten Quartals kombiniert die Eigenschaften der vorangegangenen Fertigungsschritte. Dort wird die HKMG-Technik optimiert für sparsame Hochleistungschips.

High k, Metall-Gates und "Gate Last"
TSMC nutzt die "Gate Last" Technologie. Die "Gate Last"-Technik hat Intel 2008 eingeführt bei ihrer erstmaligen Vorstellung ihrer HKMG-Technik in 45 nm (Penryn, Atom, Nehalem). Seit wenigen Monaten hat Intel die Möglichkeit, auch bei TSMC Chips mit eigenen IP zu fertigen. Der gleichartige TSMC-Ansatz mit "Gate Last" trägt sicherlich auch zu dem Fremdfertigungsabkommen mit Intel bei. Das ermöglicht Fremdherstellern eigenständige "System on Chips" mit Intels "Atom"-IP dort fertigen zu lassen. Der Nutzen für den x86-Marktfüher sind die IP-Gebühren, ohne dabei das Risiko der Fertigung zu tragen.

Die IBM-Allianz hingegen mit dem Konkurrenten AMD, bzw. die Ausgründung Global Foundries (GF) setzt auf die "Gate First"-Technik. Sicher ist, dass GF auf die HKMG-Technik bei der 32 nm-Fertigung setzt., obwohl diese auch schon am aktuellen 45 nm-Node theoretisch zur Ferfügung steht.

Intel führt 2009 in einigen Wochen die ersten CPUs in 32 nm (PDF) ein und wird die Westmere-Massenfertigung 2010 forcieren. Intel die Ergebnisse zur eigenen 32 nm-Technik auf der International Electron Devices Meeting (IEDM) im Dezember 2008 vor (PDF).
EXPreview berichtet aktuell darüber, dass Intel alle 2 Jahre die Fertigungstechnik zu noch kleineren Strukturgrößen bis zum Jahr 2022 bis hin zu 4 nm regelmäßig fortführen will.

Die Pläne bei AMD/GF sind ähnlich ambitioniert. Bislang kommuniziert AMD/GF, dass Mitte 2011 die ersten (Fusion) Serienprodukte in 32 produziert werden. Die 28 nm-Fertigung ist zeitlich bei GF nahe an den 32 nm-Node gekoppelt. Im Unterschied zur TSMC-Meldung handelt es sich um die geplante Serienfertigung und nicht um den Start einer ersten Risikofertigung. Ende Mai 2009 stellte Tim Sondermann bei GF erste RAM-Chips in 32 nm und 28 nm vor.

Im Anschluß folgen beiden Pressemeldungen von TSMC und die Links dazu.

MFG Bobo(2009) Martin Bobowsky



... TSMC Achieves 28nm SRAM Yield Breakthrough
Key process development achievement demonstrates gate-last approach manufacturing benefits

Issued by: TSMC
Issued on: 2009/08/24

Hsinchu, Taiwan, R.O.C. August 24, 2009- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. (TWSE: 2330, NYSE: TSM) has become the first foundry not only to achieve 28nm functional 64Mb SRAM yield, but also to achieve it across all three 28nm nodes.

“Achieving 64Mb SRAM yield across all three 28nm process nodes is striking. It is particularly noteworthy because this achievement demonstrates the manufacturing benefits of the gate-last approach that we developed for the two TSMC 28nm high-k metal gate processes,” explained Dr. Jack Sun, vice president, Research and Development at TSMC.

“This accomplishment underscores TSMC’s process technology capability and value in 28nm. It shows TSMC is not only able to extend conventional SiON technology to 28nm, but is also able to deliver the right 28nm HKMG technology at the same time,” explained Dr. Mark Liu, senior vice president, Advanced Technology Business at TSMC.

The TSMC 28nm development and ramp-up has remained on track since the announcement made in September of 2008. The 28LP process is expected to enter risk production at the end of Q1 of 2010, followed closely by the 28HP risk production at the end of Q2 and the 28HPL risk production in Q3.

The 28nm LP process will serve as a fast time-to-market and low cost technology ideal for cellular and mobile applications. The 28nm HP process is expected to support devices such as CPUs, GPUs, Chipsets, FPGAs, networking, video game consoles, and mobile computing applications that are performance demanding. The 28nm HPL process features low power, low leakage, and medium-high performance. It is aimed to support applications such as cell phone, smart netbook, wireless communication and portable consumer electronics that demand low leakage.

All 28nm TSMC processes feature a comprehensive design infrastructure based on the company’s Open Innovation Platform™ to extend the power of the technology to a broad range of differentiating products. ...
Quelle Pressemeldung TSMC

... TSMC Adds High-K Metal Gate Low Power Process To 28nm Road Map
Risk production expected in Q3 2010

Issued by: TSMC
Issued on: 2009/08/24


Hsinchu, Taiwan, R.O.C. August 24, 2009- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TWSE: 2330, NYSE: TSM) today announced that it is adding a low power process to its 28nm high-k metal gate (HKMG) road map. The new process is expected to enter risk production in the third quarter of 2010.

TSMC’s 28nm development and ramp has remained on schedule since the company announced the technology in September 2008. The new process’ risk production follows the HKMG high performance (HP) process by one quarter and the low power (LP) silicon oxynitride (SiON) process by two quarters. Risk production for the 28nm low power (LP) SiON process is scheduled for the end of first quarter of 2010, while risk production for the 28nm HP process is expected at the end of second quarter, 2010.

The 28nmHPL (low power with HKMG) process is a derivative of TSMC’s high performance HKMG technology and features low power, low leakage, and medium-high performance on a gate-last approach. It supports low leakage applications such as cell phone, smart netbook, wireless communication and portable consumer electronics.

The 28nm HPL process comes complete with comprehensive device support and is considered suitable as a SoC platform for general market applications. It is differentiated from the 28LP technology, which is positioned for cellular and handheld applications where lower cost and faster time-to-market from an evolutionary SiON process is most attractive.

The 28nm HP process, announced as part of the September 2008 introduction, is also built on a gate-last approach and supports performance driven devices such as CPUs, GPUs, Chipsets, FPGAs, video game console and mobile computing applications.

“We developed a gate-last approach for TSMC’s 28nm high-k metal gate family that is superior in terms of transistor characteristics, high end and low end performance upside, and manufacturability,” said Dr. Jack Sun, vice president, Research and Development, TSMC.

“TSMC has been working with customers over a significant period of time to develop high-k metal gate technologies for low power applications. The addition of the 28nm HPL to the 28nm technology family, combined with the 28LP and 28HP, means that TSMC now provides the most comprehensive 28nm technology portfolio,” said Dr. Mark Liu, senior vice president, Advanced Technology Business, TSMC.

To fully utilize the power of the 28nm technology family for a broad range of differentiating products, TSMC is working closely with customers and ecosystem partners to build a comprehensive design infrastructure based on the company’s recently unveiled Open Innovation Platform™. The Open Innovation Platform™, hosted by TSMC, is open to TSMC customers and partners. ...
Quelle Pressemeldung TSMC
 
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