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PR Samsung Develops Industry’s First HKMG-Based DDR5 Memory; Ideal for Bandwidth-Intensive Advanced Computing Applications

Press Release - englischsprachige Pressemitteilung

Pressemitteilung

Hinweis: Dieser Inhalt ist eine Pressemitteilung des Herstellers. Planet 3DNow! prüft weder die Richtigkeit der Angaben noch die Art der Formulierung. Pressemitteilungen können subjektiv sein und geben nicht notwendigerweise die Meinung der auf Planet 3DNow! schreibenden Autoren wieder.
512GB capacity DDR5 module made possible by an 8-layer TSV structure

HKMG material reduces power by 13 percent while doubling the speed of DDR4

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has expanded its DDR5 DRAM memory portfolio with the industry’s first 512GB DDR5 module based on High-K Metal Gate (HKMG) process technology. Delivering more than twice the performance of DDR4 at up to 7,200 megabits per second (Mbps), the new DDR5 will be capable of orchestrating the most extreme compute-hungry, high-bandwidth workloads in supercomputing, artificial intelligence (AI) and machine learning (ML), as well as data analytics applications.

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