Fab-Tech: EUV ab unterhalb von 32 nm?
- Ersteller Bobo_Oberon
- Erstellt am
- Status
Bobo_Oberon
Grand Admiral Special
- Mitglied seit
- 18.01.2007
- Beiträge
- 5.045
- Renomée
- 190
Intel gehörte zu den sehr frühen Förderern der EUV-Lithographie. Das bedeutet aber auch eine deutliche Abkehr von der bisherigen Lithographietechnik mit 193 nm-Lichtquellen.
1. Ist derzeit bei Intel in Planung bei 32 nm auf Immersion-Lithographie und Doppelbelichtungstechniken ("Double Patterning") zu setzen?
2. Ist derzeit die EUV-Lithographie an der Schwelle zur Rentabilität?
3. Wie wertvoll sind zum Beispiel Kooperationen mit transnationalen Firmen (Beispiel die belgische IMEC)?
MFG Bobo(2008 ) Martin Bobowsky
1. Ist derzeit bei Intel in Planung bei 32 nm auf Immersion-Lithographie und Doppelbelichtungstechniken ("Double Patterning") zu setzen?
2. Ist derzeit die EUV-Lithographie an der Schwelle zur Rentabilität?
3. Wie wertvoll sind zum Beispiel Kooperationen mit transnationalen Firmen (Beispiel die belgische IMEC)?
MFG Bobo(2008 ) Martin Bobowsky
Zuletzt bearbeitet:
Christian Anderka
Intel Desktop Platform Architecture Specialist
- Mitglied seit
- 17.10.2002
- Beiträge
- 309
- Renomée
- 2
Hallo Bob
pteron,
im folgenden Artikel wird die EUV Lithographie von einem ganz anderen Standpunkt betrachtet (Risk Management), aber dennoch zeigt der Artikel sehr schön die Herausforderungen bei der Überwindung solch großer technologischer Hürden auf:
http://www.intel.com/technology/itj/2007/v11i2/1-risk/4-case-study.htm
Aktuell verwenden wir für 45 nm Herstellung trockene 193 nm Lithographie teilweise mit Phase-Shift Masken.Nasse oder Immersions Lithographie wird wohl bei der 32 nm Herstellung zum Einsatz kommen und auch bei dieser Herstellungstechnik werden wir wohl mit 193 nm Licht hinkommen.
Die Zusammenarbeit in internationalen Netzwerken ist bei diesen Großprojekten entscheidend. Der Risk Management Artikel zu EUV geht darauf ein wenig ein.
Viele Grüße,
Christian Anderka
pteron,im folgenden Artikel wird die EUV Lithographie von einem ganz anderen Standpunkt betrachtet (Risk Management), aber dennoch zeigt der Artikel sehr schön die Herausforderungen bei der Überwindung solch großer technologischer Hürden auf:
http://www.intel.com/technology/itj/2007/v11i2/1-risk/4-case-study.htm
Aktuell verwenden wir für 45 nm Herstellung trockene 193 nm Lithographie teilweise mit Phase-Shift Masken.Nasse oder Immersions Lithographie wird wohl bei der 32 nm Herstellung zum Einsatz kommen und auch bei dieser Herstellungstechnik werden wir wohl mit 193 nm Licht hinkommen.
Die Zusammenarbeit in internationalen Netzwerken ist bei diesen Großprojekten entscheidend. Der Risk Management Artikel zu EUV geht darauf ein wenig ein.
Viele Grüße,
Christian Anderka
- Status
