Spekulationen zu aktuellen und zukünftigen Prozessen bei GlobalFoundries (<= 32nm)

dekaisi schrieb:
Ich rede von kaufbaren Produkten! Das wurde hier auch schon behandelt. Dir alles aufs Tablett zu liefern ist auch nicht der richtige Weg.
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Du scheinst nicht zu verstehen wie Foren funktionieren. Man behauptet was und belegt es mit Links oder Quellen. Von alles aufs Tablett liefern kann ja wohl keine Rede sein bei dir wenn man erst dreimal nachfragen muss wo du das gelesen hast. Wer bitte findet ein Bild mit der Beschriftung einer in Malaysia gefertigten GPU über eine Suchmaschine mit den dahin geklatschten Behauptungen von dir?

Mal eine Gang runter fahren....ich Spiele schließlich nicht in einer Quizshow mit.
 
Ich muss garnichts. Schliesslich bist du hier in einem Spekulations-Thread.
Ich habe noch gar keinen Gang rauf geschaltet. Wenn du die Fakten nicht kombinieren kannst, ist das ja dein Problem.
 
Ach und da muss man keine Quellen verlinken? Logik?
Du hast keine Fakten wenn du lediglich etwas behauptest. Fakten werden es durch Quellen die der Leser nachprüfen kann.
 
Vorsicht Complicated.

Dekaisi scheint im Dunstkreis von GF zu arbeiten.

Das er dann keine Interna samt Details ausplaudern kann, ist wohl klar.
 
Keiner bezweifelt was er sagt, doch auch er kann sich an die Netikette halten anstatt dumme Sprüche abzulassen - oder ist das aus der Mode gekommen?
 
In den aktuellen wirren und anstehenden Kriegsvorbereitungen, ist die Zeit knapp geworden. So viel muss noch verpackt und gesichert werden!
Da kann der Ton auch mal rauher werden :P.
 
???
Vielleicht solltest du deinen Namen in Sphinx umbenennen. Du sprichst jedenfalls manchmal in Rätseln.
 
ist doch klar: Er hat Insiderinfos, daß sich an der ukrainischen Front bald was tut, d.h. der Russe prescht durch und steht nächste Woche an der Elbe. Klar, daß da an der Wilschdorfer Landstraße einiges gesichert werden muß. Was soll das sonst heißen.
 
Zuletzt bearbeitet:
Jaja:

 
nee also mal im Ernst, um das Ganze mal wieder Richtung Threadthema zurückzuleiten: Wenn hier wer meint, was von sich geben zu müssen an Infos, dann soll er das klar und deutlich tun, aber wenn man damit nichts anfangen kann, dann ist es auch mehr als überflüssig. Absichtliche Mystifizierungen zur Verschleierung sind nur wichtigtuerisch, klar daß das Ärger provoziert. Mit der Aussage "ich weiß dazu was, aber ich darf nichts sagen, sonst bin ich meinen Job los" ist doch jeder zufrieden.
 
GloFo hat auf der CEA-Leti Tagung 20/22nm FD-SOI "gezeigt". Nun bin ich etwas am Zweifeln. Erst erzählt man was von 22nm PDSOI, jetzt kommt 20nm (22nm) FD-SOI. Scheinbar lässt man dafür aber 28nm FD SOI jetzt erstmal fallen (Samsung scheint aber 28nm FD-SOI einzusetzen).

Wird der 22nm PD-SOI Prozess dann wieder ein High-Performance Produkt neben 22nmFD-SOI als LowPower-Prozess?

Ziel für FD-SOI ist ja vor allem der Bereich IoT/LowPower, wo die Technologie glänzen kann. Mit Samsung und Glofo sollte das jetzt dann zumindest mal zünden.

Qualcomm scheint übrigens erstmal an SOI vorbeizugehen, will aber mit CoolCube (MultichipModule ohne TSVs) die traditionellen Fertigungsmöglichkeiten verbessern. Die Strategie ähnelt AMDs Interposer-Designs, allerdings ohne Interposer.... Die Chips (hot CMOS und cold CMOS) werden direkt aufeinandergepappt (über ein Interconnect mit sogenannten InterTierVias). Man will die Chips also ebenfalls getrennt fertigen, um sie später flexibel kombinieren zu können. Ist wohl eine Weiterentwicklung von PoP-Designs, jetzt dann eher Die-on-Die.
Allerdings weiß ich nicht, wie das kühlungstechnisch funktioniert, wenn der Chip dann treppenartig aufgebaut ist.
rcj_3D_University-of-Grenoble-Alpes_2.jpg
 
M.E. ist 22nm pdSOI von IBM geerbt, also für Serverchips mit hohem Takt gedacht. 20/22 fdSOI ist dagegen die STM-Weiterentwicklung für den Mobilbereich, in dem STM seinerzeit ja auch aktiv war.
Ohne Garantie aus dem Hinterkopf...
MfG
 
Raspo schrieb:
Schaut so aus, als ob GF/Samsung/IBM Intels Fertigungsvorteil gehörig auf die Pelle rücken:
http://www.heise.de/newsticker/meld...eter-Chip-aus-der-EUV-Produktion-2747098.html
Das könnte in den nächsten Jahren spannend werden.
Warum fallen mir jetzt gerade Dekaisi's Andeutungen ein...
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FinFETs mit high mobility Materialien. Ich erwarte das bei Intel schon in 10nm.
So kompliziert ist das nicht. Quasi Finfet machen und dann das was man aus anderen Gründen bei Gate-First macht, SiGe in den Kanal.
Die Fine wird dazu insitu raus geätzt und dann gleich epitaktisch SiGe wieder eingefüllt.
 
Raspo schrieb:
Schaut so aus, als ob GF/Samsung/IBM Intels Fertigungsvorteil gehörig auf die Pelle rücken:
http://www.heise.de/newsticker/meld...eter-Chip-aus-der-EUV-Produktion-2747098.html
Das könnte in den nächsten Jahren spannend werden.
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angeblich scheut Intel die Kosten von EUV, daher planen sie wohl sogar bis 7nm im bisherigen Belichtungsverfahren. Wenn sie's denn können und das nicht allzu ausgreifende weitere Verzögerungen nach sich zieht und sie den Anschluss in EUV nicht verlieren, ist das sehr in Ordnung.
Aber dass es prozesstechnisch spannender wird, das glaub' ich mittlerweile auch.
 
"22FD-uhp: Ultra-high Performance" hört sich eigentlich nicht schlecht für CPUs/GPUs an? Aber der Zug ist wohl erst mal abgefahren.
 
In der vorletzten CT stand was vom Freescale i.mx7 der wohl auf Dauer in dem Prozess gefertigt werden soll, aber das klingt nicht nach AMD Designzielen.
 
Jupp.

„Freescales i.MX 7 Prozessoren der nächsten Generation erfordern einen extrem geringen Stromverbrauch und gleichzeitig „performance on demand“, wie sie nur 22FDX für IoT Geräte bieten kann“, so Ron Martino Vice President of Application Processors and Advanced Technology, Freescale MCU Group. „GLOBALFOUNDRIES‘ 22FDX Plattform erlaubt es uns, Energieeffizienz, analoge Leistung und vor allem Kosteneinsparungen zu kombinieren, um unsere Roadmap für die i.Mx Plattform über die bereits verfügbaren Produkte hinaus erweitern zu können.“
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