ECC Speicher

danke aufjedenfall für die Hilfe ich stelle ECC jetzt einfach auf de Aggressivsten wert was wohl Super sein dürfte.
 
Eines darf aber bei dynamischen RAM nicht vergessen werden: Jede Speicherzelle behält ihre Daten nur ein paar wenige µ-Sekunden bevor diese "vergessen" werden. Also frischt der Memorycontroller sowieso alle paar µ-Sekunden durch lesen und rückschreiben jede einzelne Zelle (vollkommen unabhängig ob von der CPU gebraucht oder nicht) den Speicherinhalt auf.

Die Frage ist nun, ob er diesen Automatismus mit ECC macht oder ohne.

Moderne DRAMs machen einen self-refresh AFAIK. Das können die komplett selbständig. Anders wäre suspend to ram (S3) auch kaum vernünftig und so sparsam zu realisieren. Auch im laufenden Betrieb kann ich mir nicht vorstellen, dass heute noch die CPU sonderlich viel damit zu tun hat. Aber selbst wenn, die Daten müssen für einen Refresh nicht über den i/o bus. Es reicht, wenn die Daten aus den Speicherzellen in den internen Leseverstärker des DRAM Speicherfeldes gehen und von da aus direktemang wieder in die Speicherzellen.

edit: es wird wohl zwischen self-refresh und auto-refresh unterschieden. Self-refresh läuft, wenn sonst alles ausgeschaltet wird (z.B. S3). Bei auto-refresh kommt der Refresh-Befehl von außen, ansonsten läuft aber alles andere intern im Ram ab, einschl. Auswahl der zum Refresh anstehenden Adressen (siehe z.B. hier: http://www.elpida.com/en/products/faq.html#techr-at unter refresh). Wie gesagt, Daten zwischen DRAM und RAM-Controller werden heute beim refresh nicht mehr ausgetauscht.
 
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